IBM以标准CMOS制程打造三五族FinFET
时间：2015-06-27 10:28:18 来源：本站 点击量：385
整体半导体产业正在尝试找到一种方法，不需要从矽基板转换而利用砷化铟镓(InGaAs)的更高电子迁移率，包括英特尔(Intel)与三星(Samsung);而IBM已经展示了如何利用标准CMOS制程技术来达成以上目标。
上个月IBM展示了一种将三五族(III-V)砷化铟镓化合物放到绝缘上覆矽(SOI)晶圆的技术，现在该公司有另一个研究团队则是声称发现了更好的方法，采用标准块状矽晶圆并制造出矽上砷化铟镓证实其可行性。
IBM Research功能材料部门经理、CMOS专家Jean Fompeyrine表示：“我们以块状矽而非SOI晶圆片着手，首先放上氧化层，然后做一个沟槽通过下面的矽晶圆;接着以其为根源长出砷化铟镓──这是可制造性非常高的程序。”
上一条 ·苹果出货旺季出将福泽触控面板厂 2015-06-27
下一条 ·超声电子再辟谣：未向小米提供触摸屏 2015-06-27
- 原材料 工业品 服装服饰 家居百货 小商品 商务服务 更多分类
-
·陇南消防安全工作评估价格2025-12-16
·白银仅载货电梯公司,仅载货电梯维修2025-12-16
·陇南压缩氮气价格,钢瓶氮气公司2025-12-16
·宁夏氧气充气销售商,医疗氧气多少钱2025-12-16
·酒泉消防产品检测施工2025-12-16
·青海5吨载货电梯生产厂家2025-12-16
·甘肃聚丙烯尾气吸收塔怎么选2025-12-16
同类资讯推荐
