IBM以标准CMOS制程打造三五族FinFET
时间：2015-06-27 10:28:18 来源：本站 点击量：230
整体半导体产业正在尝试找到一种方法，不需要从矽基板转换而利用砷化铟镓(InGaAs)的更高电子迁移率，包括英特尔(Intel)与三星(Samsung);而IBM已经展示了如何利用标准CMOS制程技术来达成以上目标。
上个月IBM展示了一种将三五族(III-V)砷化铟镓化合物放到绝缘上覆矽(SOI)晶圆的技术，现在该公司有另一个研究团队则是声称发现了更好的方法，采用标准块状矽晶圆并制造出矽上砷化铟镓证实其可行性。
IBM Research功能材料部门经理、CMOS专家Jean Fompeyrine表示：“我们以块状矽而非SOI晶圆片着手，首先放上氧化层，然后做一个沟槽通过下面的矽晶圆;接着以其为根源长出砷化铟镓──这是可制造性非常高的程序。”
上一条 ·苹果出货旺季出将福泽触控面板厂 2015-06-27
下一条 ·超声电子再辟谣：未向小米提供触摸屏 2015-06-27
- 原材料 工业品 服装服饰 家居百货 小商品 商务服务 更多分类
-
·锦州金属铁艺雕塑加工2025-05-04
·山东水性951防水涂料批发2025-05-04
·青海衣物回收箱定做电话2025-05-04
·庆阳办公室铁皮档案柜型号2025-05-04
·广东叙利亚门到门电话,叙利亚海运整箱2025-05-04
·晋江运动校服设计2025-05-04
·广州L9全自动锡膏印刷机代理商,自动锡膏印刷机公司2025-05-04
同类资讯推荐
