可控硅智能模块|可控硅模块总代理|山东可控硅模块总代理|正高供 对单向可控硅来说，当栅极电压达到门限值VGT且栅电流达到门限值IGT时，可控硅被触发导通。当触发电流的脉宽较窄时，则应提高触发电平。当负载电流超过单向可控硅的闩电流IL时，即使此时的栅电流减为零，可控硅仍能维持导通状态。为了保证电路在环境相当低温度情况下也能正常工作，则要求驱动电路能提供足够高的电压、电流及占 空比的控制信号。 高灵敏度的单向可控硅，会在高温下因阳－阴极间的漏电流而误触发，应确保不超过TJMAX。为了可靠地关断单向可控硅，负载电流必须降到低于保持电流IH，并维持一定的时间。 标准的双向可控硅既可被栅极的正向电流触发，也能被栅极的反向电流触发，它可以在四个象限内导通。在负载电流为零时，相当好用反相的直流或单极性脉冲的（栅极）电流触发。 在通常的交流相位控制电路中，如电灯调光器和家用马达调速器等，可控硅G与MT2的极性要一致，在设计可控硅时要避免在3＋区域内工作（MT2为－，G为＋）。 值得注意的是，双向可控硅可能在一些意想不到的情况下触发导通，其后果有些问题不大，而有些则有潜在的破坏性。 1.栅极上的噪声电平 在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅内部的正反馈，则也会被触发导通。应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。然后在G与MT1之间加一个1kΩ的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个100nF的电容，来滤掉高频噪声。 2.关于转换电压变化率 当驱动一个大的电感性负载时，在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时，双向可控硅开始换向，但由于相移的关系，电压将不会是零。所以要求可控硅要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化超过允许值时，就没有足够的时间使结间的电荷释放掉，而被迫使双向可控硅回到导通状态。 为了克服上述问题，可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化，以防止误触发。一般，电阻取100Ω，电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。 3.关于转换电流变化率 当负载电流增大，电源频率的增高或电源为非正弦波时，会使转换电流变化率变高，这种情况相当易在感性负载的情况下发生，很容易