IGBT击穿电压测试源测单元具有输出及测量电压高（3000V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在D一象限，输出及测量电压0~3000V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。 设备可应用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。   IGBT击穿电压测试源测单元 技术参数 Z大输出功率：300W，3000V/100mA（不同型号有差异）； 输出电压建立时间：< 5ms； 输出接口：KHV（三同轴），支持四线测量； 扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描； 通信接口：RS232、以太网； 保护：支持急停； 触发：支持trig IN及trig out； 尺寸：19英寸1U机箱；