一．设备概述：  程控扩散炉采用仪表程序升温控方式操作，该设备用于半导体等行业的3-4英寸工艺硅片扩散、氧化、退火、合金等工艺。     二．设备类型： 方式： 手动操作方式，小工作台面 可配工艺管数量： 1-4管系统 净化台洁净度： 1000级（10000级厂房） 气体流量控制： 均用进口浮子流量计控制 送取片方式： 手动推拉 使用类型： 3-4寸炉管 三．设备主要参数： 工作温度： 300～1290℃ 炉管有效口径: ￠150-190mm 总功率： 15-24KVA/管  保温功率：6-10KVA/管 三相五线制： 380V±10%，50Hz±10%，次级线不小于35平方高温线 报警: 具有超温报警，断偶报警，气体互锁等功能 恒温区长度及段数： 400-1100mm（3-5段控温） 控温精度： ±0.5℃（≧1000℃） 单点温度稳定性： ±1℃/72h 控温方式： 高精度仪表程序控制 热偶类型: 热电偶采用K/S/R型，每管Spike 4-6支热偶 可控升温范围： (500～1285℃)0--15℃/min 可控降温范围： (500～1285℃)0--10℃/min 设备总外形尺寸： 根据设备配置不同,尺寸有所不同 四．主要构成： 1、 设备主机 2、 加热系统 3、 排风冷却系统 4、 排箱（和设备主机做为一体） 5、 控制系统 设备主要特点和优势  1★程序可以实现手/自动工作，在停电或中途停机后，再次启动可以根据工艺手动升温，节省工艺时间；   2★冷端采用PT100检测环境温度进行温度补偿，避免环境温度变化，对炉膛温度产生影响，避免层间干扰；   3★气体流量控制采用浮子流量计控制；   4★具有多种报警功能及安全保护功能； 5★恒温区手动调整，可准确控制反应管的实际工艺温度；