普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以晶准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级晶确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。       普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够J大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。功率半导体行业测试设备认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六； “双高”系统优势     高电压、大电流     具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(Z大可扩展至10kV)     具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)     高精度测量     nA级漏电流,  μΩ级导通电阻     0.1%精度测量     模块化配置     可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元     测试效率高     内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元     支持国标全指标的一键测试     扩展性好     支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具 测试项目 集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat 集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges 栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th) 输入电容、输出电容、反向传输电容 续流二极管压降Vf I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等