1.深圳市乾盛达科技有限公司位于深圳市福田区深南中路华富路口南光大厦东西座1-3（901-902），成立于2011-05-27，主要从事半导体产品的研发、生产、销售。乾盛达注册资金万元、200，拥有员工11-50人，现有厂房面积平方米、800。

2.深圳市乾盛达科技有限公司拥有完善的服务架构， 化、专业化的管理团队。乾盛达一直遵循对股东、客户、员工、社会和合作伙伴负责的企业使命和治理原则，在一致的战略、统一的TY台湾半导体品牌和文化基础上，确保乾盛达半导体整体朝着共同的目标前进。
延伸拓展
产品详情：肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)




它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的 PN 结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为 RC 时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达 100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。


肖特基二极管(Schottky Diodes)：肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（ 至 ）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。


肖特基势垒二极管 SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅 左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。

3.深圳市乾盛达科技有限公司于2011-05-27在深圳市福田区深南中路华富路口南光大厦东西座1-3（901-902）成立，公司自成立以来一直致力于半导体产品的研发和生产。乾盛达半导体主要涉足于肖特基二极管怎么用、快速二极管、快恢复二极管x1e45bdn、汽车整流器专用二极