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分子束蒸发源SOURCE-1250用于在超高真空中制备MBE生长的薄膜

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发布时间:2022-08-22

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分子束蒸发源SOURCE-1250用于在超高真空中制备MBE生长的薄膜  分子束蒸发源SOURCE-1250特点简介: 分子束蒸发源,用于在超高真空中制备MBE生长的薄膜  开放式蒸发源,它的设计是为了尽量减少分子束 辐射时的气体排放  安装法兰盘:ICF070·114等 温度控制:通过PID控制Max1250 分子束蒸发源SOURCE-1250规格: (1) 坩埚容量:约10cc(唇边约15mm x 57mm) (2) 坩埚材料PBN (3) 加热器 高纯度Ta线盘绕 (4) 侧面反射器 5层 高纯度Ta (5) 加热元件支撑底座 高纯度Mo (6) 热电偶Pr13 (7) 加热元件的外部形状为φ35X50mm (8) 工作温度范围300°C至1250°C (9) 百叶窗的开/关由微型法兰盘旋转导入机完成(标准手动:空气驱动是可选的) (10) 安装法兰114CF (4.5 "CF) (11) 加热电源 1KW直流电源,有电流和电压限制 (12) 温度控制器:PID控制方式RT~1800°C,控制精度0.1°C (13) 烘烤温度:250°C(拆除电缆和空气驱动装置后) 了解更多:http://www.hapoin.com/Science_Device/ 分子束蒸发源SOURCE-1250相关产品: 衡鹏供应 MBE-260_MBE装置 RHEED-1000_RHEED Unit PLD-M_复合PLD设备

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